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產(chǎn)品分類
Product Category半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備
半導(dǎo)體封裝設(shè)備
半導(dǎo)體分析測(cè)試設(shè)備
半導(dǎo)體光電測(cè)試儀表
其他前道工藝設(shè)備
二手翻新設(shè)備
半導(dǎo)體可靠性測(cè)試設(shè)備
主要由丙二醇甲醚醋酸酯、甲酚 - 甲醛酚醛樹脂（CAS-NO.9016-83-5，濃度 21%）、6 - 重氮 - 5,6 - 二氫 - 5 - 氧代 - 1 - 萘磺酸與 2,3,4 - 三羥基二苯...
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LD12 解鍵合機(jī)模塊進(jìn)一步補(bǔ)充了 SUSS MicroTec 公司基于激光的晶片處理產(chǎn)品組合。其基本原理是使用高能量密度和低脈沖持續(xù)時(shí)間的準(zhǔn)分子Ji Guang Qi，在室溫下解除晶圓與部件和玻璃載...
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深硅刻蝕機(jī)PSE V300主要用于12英寸深硅刻蝕，同時(shí)兼具Bosch/Non-Bosch工藝，實(shí)現(xiàn)多工藝領(lǐng)域覆蓋。該機(jī)臺(tái)針對(duì)Bosch循環(huán)工藝方式采用專業(yè)先進(jìn)的快速響應(yīng)硬件配置及軟件流程控制，結(jié)合先...
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深硅刻蝕機(jī)HSE P300主要用于12英寸硅刻蝕。采用Cluster結(jié)構(gòu)布局，能夠減小占地，提升產(chǎn)能。系統(tǒng)主要由傳輸模塊、工藝模塊、灰區(qū)部件、電源柜等組成。可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化地上下料及自動(dòng)工藝。HSE M2...
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GAMA系列6/8英寸全自動(dòng)槽式清洗機(jī)滿足全部濕法工藝需求，覆蓋RCA、PR Strip、Solvent、Wet Etch等應(yīng)用，可用于典型0.35um、0.18um工藝節(jié)點(diǎn)，可支持90nm工藝節(jié)點(diǎn)，...
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12英寸立式中高溫氧化爐THEORIS X302H主要用于12英寸1000℃-1200℃高溫和超高溫氧化和退火工藝。該機(jī)臺(tái)為立式單腔爐管系統(tǒng)，工藝處理過(guò)程實(shí)現(xiàn)了高度自動(dòng)化。系統(tǒng)主要由傳輸模塊、工藝模塊...
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12英寸槽式清洗設(shè)備Pinnacle300平臺(tái)適用于集成電路、功率半導(dǎo)體、襯底材料、硅基微顯示領(lǐng)域的清洗工藝。該機(jī)臺(tái)主要由傳輸模塊、工藝模塊、藥液供給系統(tǒng)、電源柜等組成。傳輸模塊將晶圓傳送到位置，可同...
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電測(cè)量測(cè)試設(shè)備源測(cè)量?jī)x范圍從精密儀器、專用儀器、通用儀器到基本儀器。我們的 SMU 可實(shí)現(xiàn)低功耗集成電路、汽車系統(tǒng)和其他復(fù)雜系統(tǒng)的簡(jiǎn)化和自動(dòng)化，以實(shí)現(xiàn)高效、可靠和可重復(fù)的測(cè)試。
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是德科技功率器件分析儀是適用于評(píng)測(cè)功率器件的強(qiáng)大解決方案。 所有功率器件分析儀都具有非常寬廣的電壓和電流量程以及其他強(qiáng)大特性，因而能夠測(cè)試各種類型的功率器件。B1505A 功率器件分析儀/曲線跟蹤儀專...
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精密型電流－電壓分析儀系列將功能強(qiáng)大的表征軟件與綜合 SMU 結(jié)合，能夠確保準(zhǔn)確和高效的電流－電壓測(cè)量，為您分析各種應(yīng)用中的 IV 特征提供清晰的洞察力。
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KEYSIGHT直流電源 在選擇過(guò)程中應(yīng)考慮的關(guān)鍵特性來(lái)幫助您選擇正確的可變直流電源。可編程直流電源的關(guān)鍵方面包括可用功率、噪聲要求、編程精度、可用軟件等。
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Keysight 53200 系列 350 MHz 射頻和通用頻率計(jì)數(shù)器/計(jì)時(shí)器提供了內(nèi)置的數(shù)據(jù)分析和圖形顯示功能，以及現(xiàn)代化的 LXI-C 和 USB 連通性。
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借助 Scienlab 測(cè)試系統(tǒng)和測(cè)試軟件，是德科技HEV / EV / 電網(wǎng)仿真器和信號(hào)測(cè)試系統(tǒng)為根據(jù)混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)發(fā)和測(cè)試電子元件提供定制的測(cè)試環(huán)境。我們的解決方案可幫助您加速電池、...
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是德科技高速脈沖發(fā)生器為數(shù)字和模擬波形及數(shù)據(jù)信號(hào)的生成提供了全面的激勵(lì)解決方案組合。是德科技脈沖信號(hào)測(cè)試機(jī)設(shè)備的頻率范圍為 1μHz 至 56 Gb/s，輸出幅度范圍為 50 mV 至 20V。
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通過(guò)精確的任意波形生成進(jìn)行真實(shí)測(cè)試 是德科技任意波形發(fā)生器（AWG）是提高保真度的來(lái)源，KEYSIGHT任意波形信號(hào)測(cè)試發(fā)生器可同時(shí)提供高分辨率和寬帶寬。這組合，加上我們靈活的外形尺寸，使您能夠創(chuàng)建信...
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是德科技提供專用的相位噪聲分析儀系統(tǒng)，可以簡(jiǎn)化您的相位噪聲測(cè)量，并大限度地提高您的效率。 是德科技創(chuàng)新的相位噪聲測(cè)試儀秉承 35 年的低相位噪聲、射頻設(shè)計(jì)和測(cè)量經(jīng)驗(yàn)，可以提供更精確的數(shù)據(jù)，并以經(jīng)濟(jì)的方...
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MA12有掩膜光刻機(jī)
UV Litho-ACA無(wú)掩膜/激光直寫光刻機(jī)
eLINE Plus電子束光刻系統(tǒng)
GL6 R&D納米壓印系統(tǒng)
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PSE V300深硅刻蝕機(jī)
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GAMA Series6/8英寸全自動(dòng)槽式清洗機(jī)
THEORIS X302系列12英寸立式中高溫氧化爐
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半導(dǎo)體研磨拋光機(jī)
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劃片機(jī)
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WLCSP（WaferLevelChipScalePackaging）即晶圓級(jí)芯片...
時(shí)間：2023-09-08分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在哪些方面？2025-09-21
分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE是一種精確的薄膜沉積技術(shù)，通過(guò)將分子束或原子束引導(dǎo)至基底表面，以控制原子或分子的排列，從而在基底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的薄膜。MBE技術(shù)具有高的控制精度和材料選擇性，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電、超導(dǎo)等領(lǐng)域的研究與工業(yè)生產(chǎn)。MB...等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD的常見(jiàn)應(yīng)用有哪些？2025-08-24
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD是一種廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造和薄膜沉積技術(shù)中的重要工藝。它通過(guò)在低溫下利用等離子體激發(fā)反應(yīng)氣體，以生成所需的薄膜材料。相比傳統(tǒng)的熱化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝，PECVD能夠在較低的溫度下實(shí)現(xiàn)較高的沉積速率，并且...分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE的具體工作過(guò)程分析2025-07-20
分子束外延是一種用于制造高質(zhì)量單晶薄膜和量子結(jié)構(gòu)的技術(shù)。MBE技術(shù)的核心在于通過(guò)在高真空環(huán)境中，將單一元素或化合物的分子束投射到襯底表面，形成薄膜。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電子學(xué)、磁學(xué)以及超導(dǎo)材料的研究與生產(chǎn)中。MBE系統(tǒng)具有高精度控制、優(yōu)秀的...激光直寫光刻機(jī)能夠?qū)崿F(xiàn)非常精細(xì)的圖案加工2025-06-22
激光直寫光刻機(jī)是一種先進(jìn)的光刻技術(shù)設(shè)備，廣泛應(yīng)用于集成電路(IC)制造、微電子器件的制作及納米加工等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的光刻機(jī)相比，能夠通過(guò)激光直接在基底上寫入圖案，具有更高的分辨率和靈活性，尤其適用于小批量、高精度的生產(chǎn)需求。激光直寫光刻機(jī)的基...深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司
深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司是集半導(dǎo)體儀器裝備代理及技術(shù)服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。致力于提供半導(dǎo)體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導(dǎo)體分析測(cè)試設(shè)備、半導(dǎo)體光電測(cè)試儀表及相關(guān)儀器裝備維護(hù)、保養(yǎng)、售后技術(shù)支持及實(shí)驗(yàn)室整體服務(wù)。公司目前已授實(shí)用新型權(quán)利29項(xiàng)，軟件著作權(quán)14項(xiàng)，是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。
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